存储芯片市场复苏真的来了吗?

近日,两大存储品类仿佛都进入复苏期。研究机构TrendForce(集邦咨询)最新数据显示,2025年第二季度DRAM(动态随机存取存储器)的整体营收为316.3亿美元,季增17

近日,两大存储品类仿佛都进入复苏期。研究机构TrendForce(集邦咨询)最新数据显示,2025年第二季度DRAM(动态随机存取存储器)的整体营收为316.3亿美元,季增17.1%,而NAND(闪存芯片)的整体出货量持续增长,前五大品牌厂合计营收季增22%,至146.7亿美元。但值得注意的是,头部厂商的产能调控制造了短期供需错配,营造出了产品出货量和价格大幅提升的积极氛围,而需求端的真实现象是AI与非AI的产品需求差异巨大,存储市场尚未真正进入新一轮复苏周期,而是陷入了“头部企业调控影响供需、技术分化加剧失衡、周期规律紊乱”的复杂困境。

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供需错配导致复苏幻象

存储市场当前的“复苏”态势,很大程度上是三星、SK海力士、美光等头部企业产能调整与技术路线选择共同作用的结果,而非真实需求全面拉动。

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DRAM方面,TrendForce数据显示,2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长,加上HBM(高带宽内存)出货规模扩张,平均销售单价(ASP)随PC OEM(电脑生产代工厂)、智能手机、CSP(云服务供应商)等采购方的购买热情增温而回升,加速制造商去库存化,但这种价格上涨存在明显的技术分化驱动特征,头部原厂将产能大量转向HBM、DDR5等高阶产品,并宣布PC/Server用DDR4进入生命周期末期(EOL),直接引发下游对DDR4的急性备货,预计2025年第三季度Consumer DDR4 DRAM合约价到季增高达85%~90%,但这种临时性调整造成的供给空窗期并非存储市场复苏的信号。

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NAND市场同样充满不确定性。尽管第二季度NAND合约价季增5%~10%,但细分市场表现严重分化。受惠于NVIDIA Blackwell平台出货的Enterprise SSD价格上涨10%,而智能手机用eMMC/UFS产品涨幅不足5%,呈现“旺季不旺”的反常态势。这种分化源于制造商的利润导向策略。据悉,三星与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND的投资步伐。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高,且企业资金更多集中于DRAM和封装领域,导致对NAND的投资负担加重。

三星在韩国平泽P1厂的第9代NAND转换投资已传出延后消息,原计划最快在2025年第二季度启动,但目前尚未落实。Digitimes9月1日发布消息称,三星原计划在西安X2产线率先导入第9代NAND的混合键合技术,但近期已决定取消,并计划从400层以上的第10代NAND起正式导入。

不过,第十代NAND的量产投资预计最快也要到2026年中期;SK海力士同样将大部分资金集中于最先进的DRAM和HBM领域。由于其在第10代NAND的开发进度落后于三星,短期内也难以期待新的投资。SK海力士在2025年第二季度财报会议中表示,NAND投资将依据下游需求情况,维持审慎步调,并以提升获利性为核心目标;西部数据和美光将NAND产量削减15%,并优先保障高毛利的企业级产品供应。

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SK海力士面向AI的存储器产品阵列(来源:SK海力士官网)

需求端方面,AI与非AI产品需求差异巨大,增加了市场供需走向的不确定性。AI服务器和数据中心建设确实带动HBM、企业级SSD等高端技术产品需求增长,这是源于AI大模型训练和推理对存储高带宽、低延迟、大容量的严苛要求。以HBM为例,2025年需求持续井喷,“存储三巨头”均宣布推动HBM增产,SK海力士预测AI服务器出货量增长将带动HBM需求持续攀升。专家预测,2025年HBM出货量同比增长65%,并同步拉动DDR5相关产品需求。

反观非AI产品需求,尤其是消费电子市场,对中低端存储的需求却持续低迷。IDC数据显示,全球智能手机出货量预计在2025年同比增长仅为1%,增速较第一季度的1.5%进一步放缓,笔记本电脑出货量亦呈现下滑态势。美光首席财务官Mark Murphy在2025财年第二财季财报电话会议中指出,除了HBM、DDR5等AI产品线外,价格较低的消费级DRAM在产品结构中仍占有相当比例,加上NAND Flash闪存芯片需求低迷,产能利用率不佳,预计第三财季毛利率将进一步下滑。这种非AI需求的疲软与AI产品的火热形成鲜明反差,成为供需结构扭曲的核心诱因之一。

值得注意的是,当前的涨价幻象,正在引发中小厂商的误判。存储芯片设计公司群联电子、慧荣科技在第二季度加大了对消费级NAND控制器的备货,却因下游终端需求不足导致库存积压,群联电子第二季度库存周转天数从45天延长至62天,不得不下调第三季度营收预期。

TrendForce预测,2026年第一季度存储芯片价格将进入下跌周期,其中NAND因消费端需求未达预期,价格环比跌幅可能达10%~15%,这表明当前涨价缺乏可持续需求支撑。

传统周期性规律生变

当前,存储市场的传统周期性特征在多种因素的叠加下越发紊乱。过去三十年,存储芯片市场遵循着“产能过剩—价格下跌—厂商减产—供需平衡—价格回升—产能扩张—再次过剩”的周期性规律,一个完整周期通常为3—4年。但从2023年至今,这一规律被彻底打破。本应在2024年进入下行周期的存储市场,因AI需求爆发和头部厂商控产,价格在2025年意外反弹;而传统消费级市场的低迷,又让周期复苏的“普适性”消失。

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